Invitation

September 19, 2008

Vietnamese:

Thân chào anh, chi, em và các b
n,

Sau ba năm vt v làm these, cui cùng thi mình cũng đến ngày hoàn thành.

Mình s bo v these vi tiêu đPortes logiques à base de CNTFETs – dispersion des caractéristiques et tolérance aux défauts » (CNTFET-based logic gates – characteristic dispersions and defect tolerance):

Th năm, ngày 25/9/2008,

Vào lúc :14h00

Ti salle T312, nm trong trường INPG, 46 av Felix Vialet.

Sau bui bo v là mt ba tic nho nh được t chc ti grande salle ngay tng 1.

Thân mi mi người đến tham d bui bo v these ca mình và d ba tic chia vui.

ĐNG Trng Trình

———————————————————————————————–

En française:

Bonjour.

J’ai le plaisir de vous annoncer que je soutiendrai ma thèse :

«Portes logiques à base de CNTFETs

–dispersion des caractéristiques et tolérance aux défauts»

le jeudi, 25 Septembre 2008, à 14h00 dans la salle T312 à l’INPG, 46 av. Felix Vialet.

Vous êtes tous cordialement invités à la soutenance ainsi qu’au pot qui suivra

dans la grande salle du laboratoire TIMA au premier étage.

Cordialement

DANG Trong Trinh

Ps:

TITRE EN FRANCAIS

Portes logiques à base de CNTFETs – dispersion des caractéristiques et tolérance aux défauts

RESUME EN FRANCAIS

Parmi les nouveaux nano-dispositifs, les CNTFETs sont des candidats prometteurs. Mais les circuits à base de nanotubes auront une probabilité élevée de défectuosité lors de la fabrication et une assez grande dispersion des caractéristiques. Dans ce contexte, cette thèse étudie l’implantation de portes logiques élémentaires à base de CNTFETs. Une comparaison précise de plusieurs structures logiques montre les avantages de la structure complémentaire pour les applications futures. L’influence des variations paramétriques sur les caractéristiques des CNTFETs et des portes logiques complémentaires est ensuite analysée. Une étude synthétique des défauts et fautes transitoires spécifiques aux circuits à base de CNTFETs est présentée. Enfin, une structure logique redondante est proposée pour réduire l’effet des dispersions paramétriques et pour améliorer le rendement de fabrication en tolérant certains défauts.
MOT CLES :
Transistor à base de nanotube de carbone (CNTFET), portes logiques, dispersion des caractéristiques, structure redondante

TITRE EN ANGLAIS

CNTFET-based logic gates – characteristic dispersions and defect tolerance

ABSTRACT

Amongst novel nanodevices, CNTFETs are promising candidates. But circuits based on CNTFETs will have a high probability of manufacturing defects and large characteristic dispersions. In this context, this thesis studies the implementation of CNTFET-based elementary logic gates. A precise comparison of several logic structures shows the advantages of the complementary structure for future applications. The influence of parametric variations on the CNTFET and complementary logic gate characteristics is then analyzed. A synthetic study is presented on the specific defects and transient faults in CNTFET-based circuits. Finally, a redundant logic structure is proposed to reduce the effect of parametric dispersions and to improve the manufacturing yield by tolerating some defects.


KEY WORDS:
Carbon nanotube field effect transistors (CNTFET), logic gates, characteristic dispersions, redundant structure

INTITULE ET ADRESSE DU LABORATOIRE

Laboratoire TIMA (Techniques de l’Informatique et de la Microélectronique pour l’Architecture des ordinateurs)

46, avenue Félix Viallet

38 031 GRENOBLE Cedex – France

ISBN : 978-2-84813-121-4

2 Responses to “Invitation”

  1. Man can thi said

    De tai rat hay, nhat dinh se co mat de nghe!!! Chuc TRINH binh tinh tu tin khi lam bai!!!

  2. Huong Bui said

    Mai l ngy bạn ti bảo vệ rồi nhỉ? Chc Trnh bảo vệ thnh cng nh!
    Tự tin v quyết thắng!!! ;-D.

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